机会情报：国家存储器基地项目二期开工产业链个股引关注
外汇天眼APP讯 ： 6月20日，紫光集团发布消息，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工，规划产能20万片/月，达产后与一期项目合计月产能将达30万片。国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。该项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层三维闪存芯片。
存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，也是中国进口金额最大的集成电路产品。近些年内存、固态硬盘、显卡价格屡现上涨，根源在于存储芯片掌握在少数国外厂家手中。国产化将降低国内半导体产品成本，并提升上游设备公司订单。
机构分析表示，存储器产业从趋势上看，DRAM和NAND均处于技术快速突破阶段，预计下半年DRAM1Z制程以及NAND新代产品将会量产。国产内存颗粒生产的内存模组产品已经开始上市销售，显示国内存储芯片产业正处于0到1的突破阶段。
相关概念股：
紫光国微：公司的主要业务为集成电路芯片设计与销售，包括智能芯片产品、特种集成电路产品和存储器芯片产品，分别由北京同方微电子有限公司、深圳市国微电子有限公司和西安紫光国芯半导体有限公司三个核心子公司承担。
深科技：公司全资子公司沛顿科技是国内最大的高端DRAM封测企业，客户包括全球第一大独立内存制造商金士顿、希捷、西部数据等，是国内具有从集成电路高端DRAM/Flash晶圆封测到模组、成品生产完整产业链的企业。
兆易创新：公司拟定增募资不超过43.24亿元，用于DRAM芯片研发项目及补充流动资金，项目实施后将成为国内首家覆盖全存储产品线设计能力的芯片企业。公司是全球领先的存储器芯片供应商，公司联合合肥长鑫积极布局DRAM领域，为DRAM国产化保驾护航。
